| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Unknown |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 500 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 4.5 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 10 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 10 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 1000@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 50@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 50 |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 18 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 17 |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 5900 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 2840@25V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 42@25V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 2 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 275 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 300000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 44 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 28 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 52 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 20 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 30 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 4.7 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 414 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 3 |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungsbreite | 4.9(Max) |
| Verpackungslänge | 15.8(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-3P |
| Stiftanzahl | 3 |
