| RoHS EU | Not Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.21.00.75 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Typ | NPN |
| Kategorie | Bipolar Power |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Kollektor-Basis-Spannung (V) | 75 |
| Max. Kollektor-Emitterspannung (V) | 50 |
| Max. Emitter-Basis-Spannung (V) | 6 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -65 to 200 |
| Max. Basis-Emitter-Sättigungsspannung (V) | 1.2@15mA@150mA|2@50mA@500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V) | 0.3@15mA@150mA|1@50mA@500mA |
| Max. DC-Kollektorstrom (A) | 0.8 |
| Mindestgleichstromverstärkung | 50@0.1mA@10V|75@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|30@500mA@10V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 500 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 200 |
| Temperaturbereich Lieferant | Military |
| Durchmesser | 5.84(Max) |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 5.33(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-18 |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Through Hole |
