| RoHS EU | Not Compliant |
| ECCN (USA) | 3A001a.1.c. |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 200 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 4 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 830@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 34.8(Max)@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 34.8(Max) |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 700@25V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 25000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 80(Max) |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 100(Max) |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 80(Max) |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 50(Max) |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Temperaturbereich Lieferant | Military |
| Durchmesser | 9.39(Max) mm |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 4.57(Max) mm |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-39 |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Through Hole |
