| RoHS EU | Not Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | EA |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Typ | NPN |
| Kategorie | Bipolar Power |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Kollektor-Basis-Spannung (V) | 40 |
| Max. Kollektor-Emitterspannung (V) | 20 |
| Max. Emitter-Basis-Spannung (V) | 6 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -65 to 200 |
| Max. Basis-Emitter-Sättigungsspannung (V) | 0.85@1mA@10mA|0.9@3mA@30mA|1.2@10mA@100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V) | 0.2@1mA@10mA|0.25@3mA@30mA|0.45@10mA@100mA |
| Mindestgleichstromverstärkung | 70@10mA@0.35V|40@30mA@0.4V|75@10mA@1V|30@100mA@1V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 360 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -65 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 200 |
| Temperaturbereich Lieferant | Military |
| Durchmesser | 5.84(Max) |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 5.33(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-18 |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Through Hole |
