| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.55 |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Yes |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Prozesstechnologie | 180nm |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 60 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 3.5 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 60 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 18@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 111@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 111 |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 22.5 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 24.2 |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 44.9 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 6625@25V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 293@25V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 2 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 358 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 187000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 47.5 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 43 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 113.5 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 20.7 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 240 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 33.6 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.2 |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.6 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 2.4(Max) |
| Verpackungsbreite | 6.2(Max) |
| Verpackungslänge | 6.7(Max) |
| Leiterplatte geändert | 2 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | DPAK |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Gull-wing |
