| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | SiC |
| Konfiguration | Dual Common Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 1200 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 25 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -40 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 733 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 3.5@20V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 2088@20V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 27000@1000V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2968000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 67 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 55 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 166 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 56 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 125 |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungshöhe | 16 |
| Verpackungsbreite | 62 |
| Verpackungslänge | 108 |
| Leiterplatte geändert | 7 |
| Stiftanzahl | 7 |
