Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1,Die Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, Die
| Compliant | |
| EAR99 | |
| Active | |
| EA | |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Power MOSFET | |
| SiC | |
| Single Triple Source | |
| Enhancement | |
| N | |
| 1 | |
| 1200 | |
| 25 | |
| -55 to 175 | |
| 60 | |
| 56@20V | |
| 106@20V | |
| 1781@800V | |
| 348000 | |
| 10.4 | |
| 41 | |
| 33 | |
| 18 | |
| -55 | |
| 175 | |
| Verpackungshöhe | 0.2 mm |
| Verpackungsbreite | 3.56 mm |
| Verpackungslänge | 4.27 mm |
| Leiterplatte geändert | 4 |
| Lieferantenverpackung | Die |
| 4 |
| EDA / CAD Models |
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