| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | EA |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Dual Quad Drain |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 80 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 9.4 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 15@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 8@4.5V|17@10V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 900@40V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 3200 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 7 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 40 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 20 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 10 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.05(Max) |
| Verpackungsbreite | 5.9 |
| Verpackungslänge | 4.9 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | DFN |
| Lieferantenverpackung | DFN EP |
| Stiftanzahl | 8 |
