| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | COMPONENTS |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Triple Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 60 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 28 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 10 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 2.4@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 52@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 52 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 3600@25V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 3700 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 70 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 150 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 28 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 15 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A) | 28 |
| Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W) | 3.7 |
| Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 40 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.8 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 3 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 55 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.2 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.05(Max) |
| Verpackungsbreite | 5.9 |
| Verpackungslänge | 4.9 |
| Leiterplatte geändert | 5 |
| Lieferantenverpackung | SO-FL EP |
| Stiftanzahl | 5 |
| Leitungsform | Flat |
