| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | EA |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Quad Drain Quad Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 60 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 31 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 1.5@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 46.1@4.5V|102.6@10V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 7526@30V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2500 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 5.4 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 7.1 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 41.3 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 16 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.98 |
| Verpackungsbreite | 6 |
| Verpackungslänge | 5 |
| Leiterplatte geändert | 9 |
| Lieferantenverpackung | TDFN EP |
| Stiftanzahl | 9 |
