| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | EA |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 150 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 22 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 4.45@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 79@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 79 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 6514@75V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 5000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 8 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 11 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 48 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 38 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Verpackung | Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.15(Max) |
| Verpackungsbreite | 7.9 |
| Verpackungslänge | 8 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | DFN |
| Lieferantenverpackung | TDFNW EP |
| Stiftanzahl | 8 |
