| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | EA |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Dual Triple Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N|P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 100 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 3.5@N Channel|2.2@P Channel |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 70@10V@N Channel|186@10V@P Channel |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 5.6@10V|3@4.5V@N Channel|7.3@10V|4.6@6V@P Channel |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 5.6@N Channel|7.3@P Channel |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 252@50V@N Channel|256@50V@P Channel |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1900 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 7.5|9@N Channel|3.4|4.1@P Channel |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 2.5|7.6@N Channel|3.6|4.8@P Channel |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 12.4|10.4@N Channel|13.2|10@P Channel |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 5.3|7.6@N Channel|8.9|10.8@P Channel |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.75(Max) |
| Verpackungsbreite | 3 |
| Verpackungslänge | 3 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | DFN |
| Lieferantenverpackung | WDFN EP |
| Stiftanzahl | 8 |
