| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Dual |
| Prozesstechnologie | PowerTrench |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 60 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 9 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 10 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 9@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 6.4@4.5V|13.5@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 13.5 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 948@30V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1700 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 4.4 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 5.8 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 12.8 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 9.4 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.75(Max) |
| Verpackungsbreite | 3.3 |
| Verpackungslänge | 3.3 |
| Leiterplatte geändert | 12 |
| Standard-Verpackungsname | QFN |
| Lieferantenverpackung | WQFN EP |
| Stiftanzahl | 12 |
