| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | NTTFS022N15MC |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
| Prozesstechnologie | 0.18um to 2um |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 150 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 4.5 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 7.4 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 22@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 17@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 17 |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 2.7 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 7.2 |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 242 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1315@75V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 6@75V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.5 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 380 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2800 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 2.9 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 2.8 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 17 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 14 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 158 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.86 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 45 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.2 |
| Max. Gate-Widerstand (Ohm) | 1.2 |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.75(Max) |
| Verpackungsbreite | 3.3 |
| Verpackungslänge | 3.3 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | DFN |
| Lieferantenverpackung | WDFN EP |
| Stiftanzahl | 8 |
