| RoHS EU | Compliant |
| Part Status | Active |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Quad Drain Quad Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 40 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 207 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 1.3@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 21@4.5V|28@6V|47@10V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 3480@20V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 107000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 4 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 5 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 43 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 18 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
