| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| Part Status | Active |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Quad Drain Quad Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 25 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 16 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 310 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 0.58@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 25@4.5V|33@6V|55@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 55 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 3980@12V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 87000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 57 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 6 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 26 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 4 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.73 mm |
| Verpackungsbreite | 3.3 mm |
| Verpackungslänge | 3.3 mm |
| Leiterplatte geändert | 9 |
| Lieferantenverpackung | WDFN EP |
| Stiftanzahl | 9 |
