| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Yes |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Dual Quad Drain |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 60 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 20 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 28@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 2@4.5V|5@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 5 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 350@25V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 3200 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 23 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 25 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 13 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 6.4 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Temperaturbereich Lieferant | Automotive |
