| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | NRND |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Yes |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 40 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 0.82@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 66@4.5V|143@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 143 |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 126 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 8862@25V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.2 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 3328 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 900 |
| Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 36 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.2 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.15 |
| Verpackungsbreite | 4.8 |
| Verpackungslänge | 4.9 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Lieferantenverpackung | LFPAK EP |
| Stiftanzahl | 8 |
