| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Yes |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.1 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 14 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 9.4@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 7.8@4.5V|15.2@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 15.2 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 770@15V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 3000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 5|3 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 35|26 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 13|16 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 9|6 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Temperaturbereich Lieferant | Automotive |
