| RoHS EU | Compliant |
| Part Status | Active |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | SiC |
| Konfiguration | Quad |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 4 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 1200 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 22 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -40 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 77 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 19@18V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 211@18V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 4696@800V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 198000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 7.5 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 8.6 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 103 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 33.3 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
