| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Automotive | Yes |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | SiC |
| Konfiguration | Dual |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 1200 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 22 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -40 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 42 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 38.5@18V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 110@18V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 2271@800V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 100000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 9.4 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 6.6 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 84.8 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 19.6 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungshöhe | 12 |
| Verpackungsbreite | 33.8 |
| Verpackungslänge | 62.8 |
| Leiterplatte geändert | 18 |
| Lieferantenverpackung | PIM |
| Stiftanzahl | 18 |
