| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Unknown |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 60 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Operating Junction Temperature (°C) | 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 12 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 30@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 4.9@6V|7.5@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 7.5 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 440@30V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 40000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 4.7 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 6 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 24 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 9 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Temperaturbereich Lieferant | Automotive |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.85(Max) |
| Verpackungsbreite | 4(Max) |
| Verpackungslänge | 3.3(Max) |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Lieferantenverpackung | HSMT-AG EP |
| Stiftanzahl | 8 |
