| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 22 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 4.1@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 65@4.5V|130@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 130 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 5850@15V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 3000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 140 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 40 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 260 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 25 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.05(Max) |
| Verpackungsbreite | 5.8(Max) |
| Verpackungslänge | 5(Max) |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | HSOP EP |
| Stiftanzahl | 8 |
