| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | COMPONENTS |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 0.2 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 1400@10V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 30@10V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 150 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 40 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 5 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 30 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 8 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.45(Max) mm |
| Verpackungsbreite | 0.9(Max) mm |
| Verpackungslänge | 1.3(Max) mm |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Standard-Verpackungsname | SOT |
| Lieferantenverpackung | VMT |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Flat |
