| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | SiC |
| Konfiguration | Single Quint Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 1700 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 22 |
| Operating Junction Temperature (°C) | 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 3.9 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 1500@18V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 24@18V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 197@800V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 39000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 32 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 25 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 24 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 12 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
