| RoHS EU | Compliant |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | SiC |
| Konfiguration | Single Dual Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 1200 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 22 |
| Operating Junction Temperature (°C) | 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 55 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 52@18V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 107@18V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1337@800V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 262000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 20 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 21 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 27 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 6 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Verpackung | Tube |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 23.45 |
| Verpackungsbreite | 5 |
| Verpackungslänge | 16 |
| Leiterplatte geändert | 4 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-247 |
| Stiftanzahl | 4 |
