| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | SiC |
| Konfiguration | Single Hex Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 750 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 21 |
| Operating Junction Temperature (°C) | 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 31 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 59@18V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 63@18V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1460@500V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 93000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 10 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 16 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 27 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 5.1 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 4.5 |
| Verpackungsbreite | 9.1 |
| Verpackungslänge | 10.2 |
| Leiterplatte geändert | 7 |
| Tab | Tab |
| Lieferantenverpackung | TO-263-LA |
| Stiftanzahl | 8 |
