| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | LTB |
| HTS | COMPONENTS |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | SiC |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 1200 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 25 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 3(Typ) |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 200 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 65 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 100 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 69@20V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 122@20V |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 35 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 19 |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 230 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1900@400V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 30@400V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.8 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 170 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 318000 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 200 |
| Temperaturbereich Lieferant | Industrial |
| Verpackung | Tube |
| Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm) | 52@20V |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 25 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 130 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 3.5 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 8 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 55 |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 3 |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 20 mm |
| Verpackungsbreite | 5 mm |
| Verpackungslänge | 15.6 mm |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | HIP-247 |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Through Hole |
