| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | LTB |
| HTS | 8541.49.80.00 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Typ | Chip |
| Fototransistortyp | Phototransistor |
| Linsenformart | Domed |
| Material | Silicon |
| Anzahl der Kanäle pro Chip | 1 |
| Polarität | NPN |
| Halbwertswinkel-Grad (°) | 24 |
| Ansichtorientierung | Top View |
| Spitzenwellenlänge (nm) | 860 |
| Max. Anstiegszeit (ns) | 7000 |
| Max. Abfallzeit (ns) | 7000 |
| Max. Lichtstrom (uA) | 4500 |
| Max. Kollektorstrom (mA) | 15 |
| Max. Dunkelstrom (nA) | 200 |
| Max. Kollektor-Emitterspannung (V) | 35 |
| Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V) | 0.2 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 165 |
| Herstellungstechnologie | NPN Transistor |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 100 |
| Durchmesser | 4(Max) |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 5.2(Max) |
| Leiterplatte geändert | 2 |
| Lieferantenverpackung | T-1 |
| Stiftanzahl | 2 |
| Leitungsform | Through Hole |
