| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 16 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 7.5 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 22.7@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 8.2@4.5V|16.8@10V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 980@15V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1300 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 40|32 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 8|35 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 48|34 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 30|14 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
