| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | EA |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Quad Drain |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±8 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 1 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 8 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 24@4.5V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 11@4.5V|12@5V |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 1.1 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 1.8 |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 6 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1065@10V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 70@10V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 0.45 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 150 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 10 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 15 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 43 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 5 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 8 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 20 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.75 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 15 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.2 |
| Mindest-Gate-Widerstand (Ohm) | 0.4 |
| Max. Gate-Widerstand (Ohm) | 4.4 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1(Max) |
| Verpackungsbreite | 1.65 |
| Verpackungslänge | 3.05 |
| Leiterplatte geändert | 6 |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | TSOP |
| Stiftanzahl | 6 |
