| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | EA |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Quad Drain |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 6.4 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 31.2@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 4.5@4.5V|9.5@10V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 580@15V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 40|42 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 33|140 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 26|30 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 15|26 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1(Max) |
| Verpackungsbreite | 1.65 |
| Verpackungslänge | 3.05 |
| Leiterplatte geändert | 6 |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | TSOP |
| Stiftanzahl | 6 |
