| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
| Prozesstechnologie | TrenchFET Gen IV |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 16 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.2 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 18.3 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 9.5@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 13@4.5V|27@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 27 |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 4.3 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 5.4 |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 12 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1620@15V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 56@15V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 1 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 250 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2300 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 23|22 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 48|6 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 29|42 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 22|8 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm) | 7.7@10V|12.7@4.5V |
| Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W) | 2.3 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 70 |
| Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 90 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.78 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 3.2 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 26 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.2 |
| Mindest-Gate-Widerstand (Ohm) | 4 |
| Max. Gate-Widerstand (Ohm) | 17 |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 16 |
| Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A) | 12.7 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.38 |
| Verpackungsbreite | 3.9 |
| Verpackungslänge | 4.9 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | SOIC N |
| Stiftanzahl | 8 |
