| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | NRND |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
| Prozesstechnologie | 0.18um |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 3 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 14 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 4.5@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 24@4.5V |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 7.5 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 10.5 |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 32 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 500 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 3000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 18 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 14 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 60 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 20 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm) | 3.7@10V|4.8@4.5V |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.55(Max) mm |
| Verpackungsbreite | 4(Max) mm |
| Verpackungslänge | 5(Max) mm |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | SOIC N |
| Stiftanzahl | 8 |
| Leitungsform | Gull-wing |
