| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Dual Dual Drain |
| Prozesstechnologie | DMOS |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N|P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 20@N Channel|-20@P Channel |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 3.9@N Channel|3.5@P Channel |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 65@10V@N Channel|85@10V@P Channel |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 3.7@10V@N Channel|5@10V@P Channel |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 3.7@N Channel|5@P Channel |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 235@10V@N Channel|420@10V@P Channel |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 0.8@N Channel|6@P Channel |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 18@N Channel|8@P Channel |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 15@N Channel|18@P Channel |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 7@N Channel|9@P Channel |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.5(Max) mm |
| Verpackungsbreite | 3.9 mm |
| Verpackungslänge | 4.9 mm |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | SOIC |
| Stiftanzahl | 8 |
| Leitungsform | Gull-wing |
