| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 800 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±30 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 15 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 29@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 41@10V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1260@100V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 179000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 31 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 23 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 45 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 21 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
