| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | NRND |
| HTS | 8541.29.00.55 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 16 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.2 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 51.4 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 1.2@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 28.7@4.5V|61.5@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 61.5 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 4460@15V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 5200 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 21 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 39 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 30 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 25 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.07(Max) |
| Verpackungsbreite | 5.89 |
| Verpackungslänge | 4.9 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | PowerPAK SO EP |
| Stiftanzahl | 8 |
