| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±8 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 1 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 25 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 9.5@4.5V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 38@4.5V|62.5@8V |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 10 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 4 |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 50 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 2760@10V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 370@10V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 0.4 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 405 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 3600 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 38 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 28 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 92 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 23 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 40 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.82 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 56 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.2 |
| Mindest-Gate-Widerstand (Ohm) | 0.9 |
| Max. Gate-Widerstand (Ohm) | 8.8 |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 8 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.93(Max) |
| Verpackungsbreite | 3.3 |
| Verpackungslänge | 3.3 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Lieferantenverpackung | PowerPAK 1212-SH EP |
| Stiftanzahl | 8 |
