| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±16 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 47.1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 1.2@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 19.9@4.5V|43.2@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 43.2 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 3422@15V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 4800 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.78(Max) mm |
| Verpackungsbreite | 3.3 mm |
| Verpackungslänge | 3.3 mm |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Lieferantenverpackung | PowerPAK 1212-S EP |
| Stiftanzahl | 8 |
