| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Dual |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 80 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.4 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 8.9 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 24.5@10V@Channel 1|24.7@10V@Channel 2 |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 13.1@10V|6.2@4.5V@Channel 1|13.3@10V|6.3@4.5V@Channel 2 |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 13.1@Channel 1|13.3@Channel 2 |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 1.78@Channel 1|1.9@Channel 2 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 2.7 |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 24@Channel 1|29@Channel 2 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 820@40V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 10@40V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.1 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 95@Channel 1|90@Channel 2 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 4300 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 6|25@Channel 1|5|20@Channel 2 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 42@Channel 2|6|55@Channel 1 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 25|24@Channel 1|23@Channel 2 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 11|20@Channel 1|12|20@Channel 2 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm) | 20.6@10V|24.6@4.5V@Channel 2|20.4@10V|24.3@4.5V@Channel 1 |
| Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W) | 4.3 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 60 |
| Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 64 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.8 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 3.2 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 27@Channel 1|28@Channel 2 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.2 |
| Mindest-Gate-Widerstand (Ohm) | 0.26@Channel 1|0.2@Channel 2 |
| Max. Gate-Widerstand (Ohm) | 2.6@Channel 1|2@Channel 2 |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A) | 8.9 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.75(Max) mm |
| Verpackungsbreite | 3.3 mm |
| Verpackungslänge | 3.3 mm |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Lieferantenverpackung | PowerPAIR EP |
| Stiftanzahl | 8 |
| Leitungsform | No Lead |
