| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.55 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Dual |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 20@Channel 1|16@Channel 2 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.4@Channel 1|2.2@Channel 2 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 28@Channel 1|49@Channel 2 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1@Channel 1|400@Channel 2 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 3.07@10V@Channel 1|1.05@10V@Channel 2 |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 19@10V|9@4.5V@Channel 1|83@10V|38.6@4.5V@Channel 2 |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 19@Channel 1|83@Channel 2 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1300@15V@Channel 1|5230@15V@Channel 2 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 3900@Channel 1|4500@Channel 2 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 10|5@Channel 1|27|10@Channel 2 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 95|5@Channel 1|116|70@Channel 2 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 17|20@Channel 1|45|43@Channel 2 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 18|11@Channel 1|34|17@Channel 2 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungsbreite | 5 |
| Verpackungslänge | 6 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Lieferantenverpackung | PowerPAIR EP |
| Stiftanzahl | 8 |
