| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Unknown |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
| Prozesstechnologie | 2700nm |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 60 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.5 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 16 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 65@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 25.5@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 25.5 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1083@25V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.5 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 132 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 53000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 8 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 5 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 39 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 9 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Temperaturbereich Lieferant | Automotive |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 64 |
| Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 81 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.2 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.07(Max) mm |
| Verpackungsbreite | 3.05 mm |
| Verpackungslänge | 3.05 mm |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Lieferantenverpackung | PowerPAK 1212-W EP |
| Stiftanzahl | 8 |
