| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Unknown |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Triple Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 100 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±30 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.5 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 32 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 11@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 34@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 34 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1829@25V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 83000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 7 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 10 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 27 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 10 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Temperaturbereich Lieferant | Automotive |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 75 |
| Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 65 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.77 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 2.7 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.2 |
| Mindest-Gate-Widerstand (Ohm) | 0.65 |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 2 |
| Max. Gate-Widerstand (Ohm) | 2 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.07 mm |
| Verpackungsbreite | 4.37 mm |
| Verpackungslänge | 4.9 mm |
| Leiterplatte geändert | 4 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | PowerPAK SO EP |
| Stiftanzahl | 5 |
