| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Obsolete |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Unknown |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Triple Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 60 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.5 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 8 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 85@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 26.5@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 26.5 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 912@30V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.5 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 100 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 45000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 8 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 13 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 36 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 11 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Temperaturbereich Lieferant | Automotive |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 25 |
| Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 70 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.2 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.07 mm |
| Verpackungsbreite | 4.37 mm |
| Verpackungslänge | 4.9 mm |
| Leiterplatte geändert | 4 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | PowerPAK SO |
| Stiftanzahl | 5 |
| Leitungsform | Gull-wing |
