| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±10 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 1 |
| Operating Junction Temperature (°C) | 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 6 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 1000 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 22.1@8V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 38.5@8V |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 3.6 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 4.1 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1331@10V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 118@10V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 0.3 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 135 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2000 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 10 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 20 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.8 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.1 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungsbreite | 1.8 |
| Verpackungslänge | 2.9 |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Standard-Verpackungsname | SOT |
| Lieferantenverpackung | SOT-23F |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Flat |
