| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Small Signal |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±10 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 1 |
| Operating Junction Temperature (°C) | 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 0.25 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 1000 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 1400@4.5V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 21@10V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 2@10V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 0.3 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 6 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 500 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 145 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 42 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 420 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 17 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm) | 1100@4.5V|1500@2.5V|2000@1.8V|2300@1.5V|3200@1.2V |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 10 |
| Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W) | 0.5 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 0.6 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.83 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.2 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungsbreite | 0.8 mm |
| Verpackungslänge | 0.6 mm |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Lieferantenverpackung | CST-C |
| Stiftanzahl | 3 |
