| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Unknown |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 60 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.5 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 6 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 10000 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 36@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 9.3@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 9.3 |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 2 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 1.8 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 550@10V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 35@10V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.5 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2400 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 6 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 48 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Temperaturbereich Lieferant | Automotive |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm) | 43@4V|36@4.5V|28@10V |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.9 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 3.2 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.5 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungsbreite | 1.8 mm |
| Verpackungslänge | 2.9 mm |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Standard-Verpackungsname | SOT |
| Lieferantenverpackung | SOT-23F |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Flat |
