| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | EA |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single Hex Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 650 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±30 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 4 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 18 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 1000 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 2 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 155@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 29@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 29 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1635@300V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 150000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 4 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 16 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 2.3 |
| Verpackungsbreite | 10.38 |
| Verpackungslänge | 9.9 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Tab | Tab |
| Lieferantenverpackung | TOLL |
| Stiftanzahl | 9 |
