| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 300 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 18 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 139@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 60@10V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 2600@100V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 45000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 55 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 70 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 15 |
| Verpackungsbreite | 4.5 |
| Verpackungslänge | 10 |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-220SIS |
| Stiftanzahl | 3 |
