| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 80 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 84 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 5.1@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 56@10V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 3980@40V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 104000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 68 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 64 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 2.3 mm |
| Verpackungsbreite | 6.1 mm |
| Verpackungslänge | 6.6 mm |
| Leiterplatte geändert | 2 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | DPAK |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Gull-wing |
